IGBT IXYX120N120C3 N-kanálový 240 A 1200 V, PLUS247, počet kolíků: 3 50kHz Jednoduchý

Skladové číslo RS: 920-1000Značka: IXYSČíslo dielu výrobcu: IXYX120N120C3
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii IGBT

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

IXYS

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

240 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

1500 W

Gehäusegröße

PLUS247

Montage-Typ

Through Hole

Typ kanálu

N

Počet kolíků

3

Rychlost spínání

50kHz

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

16.13 x 5.21 x 21.34mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Betriebstemperatur max.

175 °C

Krajina pôvodu

United States

Podrobnosti o výrobku

IGBT Discretes, řada IXYS

Řada xpt™ samostatných IGBT od IXYS je vybavena technologií tenkých oplatků Extrémně lehké Punch-Through, která snižuje tepelnou odolnost a snižuje energetické ztráty. Tato zařízení nabízejí rychlé přepínání při nízkém proudovém zatížení a jsou k dispozici v různých průmyslových standardních a chráněných balících.

Vysoká hustota výkonu a nízká VCE(sat)
Bezpečnostní oblasti čtvercového zpětného chodu (RBSOA) až do jmenovitého havarijního napětí
Možnost zkratu pro 10USEC
Teplotní koeficient kladného napětí na stavu
Volitelné diody Sonic-FRD™ nebo HiPerFRED™ nabité spol
Mezinárodní standardní a proprietární vysokonapěťové balíky

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 1 004,65

€ 33,488 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)

IGBT IXYX120N120C3 N-kanálový 240 A 1200 V, PLUS247, počet kolíků: 3 50kHz Jednoduchý

€ 1 004,65

€ 33,488 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)

IGBT IXYX120N120C3 N-kanálový 240 A 1200 V, PLUS247, počet kolíků: 3 50kHz Jednoduchý
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

IXYS

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

240 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

1500 W

Gehäusegröße

PLUS247

Montage-Typ

Through Hole

Typ kanálu

N

Počet kolíků

3

Rychlost spínání

50kHz

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

16.13 x 5.21 x 21.34mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Betriebstemperatur max.

175 °C

Krajina pôvodu

United States

Podrobnosti o výrobku

IGBT Discretes, řada IXYS

Řada xpt™ samostatných IGBT od IXYS je vybavena technologií tenkých oplatků Extrémně lehké Punch-Through, která snižuje tepelnou odolnost a snižuje energetické ztráty. Tato zařízení nabízejí rychlé přepínání při nízkém proudovém zatížení a jsou k dispozici v různých průmyslových standardních a chráněných balících.

Vysoká hustota výkonu a nízká VCE(sat)
Bezpečnostní oblasti čtvercového zpětného chodu (RBSOA) až do jmenovitého havarijního napětí
Možnost zkratu pro 10USEC
Teplotní koeficient kladného napětí na stavu
Volitelné diody Sonic-FRD™ nebo HiPerFRED™ nabité spol
Mezinárodní standardní a proprietární vysokonapěťové balíky

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more