DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

Tranzistorový modul IGBT MIXA300PF1200TSF, konfigurace: Duální 465 A 1200 V N-kanálový, SimBus F, počet kolíků: 11

Skladové číslo RS: 124-0711Značka: IXYSČíslo dielu výrobcu: MIXA300PF1200TSF
brand-logo
View all in IGBTs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

IXYS

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

465 A

Kollektor-Emitter-

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±30V

Maximální ztrátový výkon

1.5 kW

Gehäusegröße

SimBus F

Konfiguration

Dual

Montage-Typ

PCB Mount

Typ kanálu

N

Pinanzahl

11

Konfigurace tranzistoru

Series

Abmessungen

152 x 62 x 17mm

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Betriebstemperatur max.

150 °C

Podrobnosti o výrobku

IGBT moduly IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

Tranzistorový modul IGBT MIXA300PF1200TSF, konfigurace: Duální 465 A 1200 V N-kanálový, SimBus F, počet kolíků: 11

P.O.A.

Tranzistorový modul IGBT MIXA300PF1200TSF, konfigurace: Duální 465 A 1200 V N-kanálový, SimBus F, počet kolíků: 11
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

IXYS

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

465 A

Kollektor-Emitter-

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±30V

Maximální ztrátový výkon

1.5 kW

Gehäusegröße

SimBus F

Konfiguration

Dual

Montage-Typ

PCB Mount

Typ kanálu

N

Pinanzahl

11

Konfigurace tranzistoru

Series

Abmessungen

152 x 62 x 17mm

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Betriebstemperatur max.

150 °C

Podrobnosti o výrobku

IGBT moduly IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more