řada: GigaMOS, HiperFETMOSFET MMIX1T550N055T2 N-kanálový 550 A 55 V, SMPD, počet kolíků: 24 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 168-4794Značka: IXYSČíslo dielu výrobcu: MMIX1T550N055T2
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

IXYS

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

550 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

55 V

Řada

GigaMOS, HiperFET

Gehäusegröße

SMPD

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

24

Maximální odpor kolektor/zdroj

1,3 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3.8V

Maximální ztrátový výkon

830 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Breite

23.25mm

Länge

25.25mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

175 °C

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

595 nC při 10 V

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Höhe

5.7mm

Krajina pôvodu

Germany

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ řady GigaMOS™

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 815,03

€ 40,752 Each (In a Tube of 20) (bez DPH)

řada: GigaMOS, HiperFETMOSFET MMIX1T550N055T2 N-kanálový 550 A 55 V, SMPD, počet kolíků: 24 Jednoduchý Si

20

Dostupné v násobkoch 20
20€ 815,03
40€ 1 630,06
60€ 2 445,09
80€ 3 260,12
100€ 4 075,15
120€ 4 890,18
140€ 5 705,21
160€ 6 520,24
180€ 7 335,27
200€ 8 150,30
220€ 8 965,33
240€ 9 780,36
260€ 10 595,39
280€ 11 410,42
300€ 12 225,45

€ 815,03

€ 40,752 Each (In a Tube of 20) (bez DPH)

řada: GigaMOS, HiperFETMOSFET MMIX1T550N055T2 N-kanálový 550 A 55 V, SMPD, počet kolíků: 24 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

20

Dostupné v násobkoch 20
20€ 815,03
40€ 1 630,06
60€ 2 445,09
80€ 3 260,12
100€ 4 075,15
120€ 4 890,18
140€ 5 705,21
160€ 6 520,24
180€ 7 335,27
200€ 8 150,30
220€ 8 965,33
240€ 9 780,36
260€ 10 595,39
280€ 11 410,42
300€ 12 225,45

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

IXYS

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

550 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

55 V

Řada

GigaMOS, HiperFET

Gehäusegröße

SMPD

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

24

Maximální odpor kolektor/zdroj

1,3 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3.8V

Maximální ztrátový výkon

830 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Breite

23.25mm

Länge

25.25mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

175 °C

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

595 nC při 10 V

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Höhe

5.7mm

Krajina pôvodu

Germany

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ řady GigaMOS™

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more