Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSMontage-Typ
Stud
Gehäusegröße
DO-9
Maximální stejnosměrný propustný proud
628A
Špičkové závěrné napětí opakovaně
1500V
Diodová konfigurace
Svorníkový, anoda
Typ diody
Silicon Junction
Pinanzahl
2
Maximální pokles propustného napětí
1.62V
Počet prvků na čip
1
Durchmesser
28.3mm
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
8.3kA
Krajina pôvodu
United Kingdom
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSMontage-Typ
Stud
Gehäusegröße
DO-9
Maximální stejnosměrný propustný proud
628A
Špičkové závěrné napětí opakovaně
1500V
Diodová konfigurace
Svorníkový, anoda
Typ diody
Silicon Junction
Pinanzahl
2
Maximální pokles propustného napětí
1.62V
Počet prvků na čip
1
Durchmesser
28.3mm
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
8.3kA
Krajina pôvodu
United Kingdom