IGBT NGB8207ABNT4G N-kanálový 50 A 365 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý

Skladové číslo RS: 805-1753Značka: LittelfuseČíslo dielu výrobcu: NGB8207ABNT4G
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii IGBT

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Littelfuse

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

50 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

365 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±15V

Maximální ztrátový výkon

165 W

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Typ kanálu

N

Pinanzahl

3

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

10.29 x 9.65 x 4.83mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Betriebstemperatur max.

175 °C

Podrobnosti o výrobku

IGBT Discretes, ON Semiconductor

Izolované bipolární tranzistory hradla (IGBT) pro pohon motoru a další aplikace s vysokoproudovým spínáním.

IGBT Discretes, ON Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať

€ 10,10

€ 2,02 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

IGBT NGB8207ABNT4G N-kanálový 50 A 365 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý
Vyberte typ balenia

Štandardný

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 5.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 5.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

5

Dostupné v násobkoch 5
5€ 10,10
10€ 20,20
15€ 30,30
20€ 40,40
25€ 50,50
30€ 60,60
35€ 70,70
40€ 80,80
45€ 90,90
50€ 101,00
55€ 111,10
60€ 121,20
65€ 131,30
70€ 141,40
75€ 151,50

€ 10,10

€ 2,02 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

IGBT NGB8207ABNT4G N-kanálový 50 A 365 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Štandardný

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 5.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 5.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

5

Dostupné v násobkoch 5
5€ 10,10
10€ 20,20
15€ 30,30
20€ 40,40
25€ 50,50
30€ 60,60
35€ 70,70
40€ 80,80
45€ 90,90
50€ 101,00
55€ 111,10
60€ 121,20
65€ 131,30
70€ 141,40
75€ 151,50

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Littelfuse

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

50 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

365 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±15V

Maximální ztrátový výkon

165 W

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Typ kanálu

N

Pinanzahl

3

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

10.29 x 9.65 x 4.83mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Betriebstemperatur max.

175 °C

Podrobnosti o výrobku

IGBT Discretes, ON Semiconductor

Izolované bipolární tranzistory hradla (IGBT) pro pohon motoru a další aplikace s vysokoproudovým spínáním.

IGBT Discretes, ON Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať