Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MagnaChipTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
110 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
36.8 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,8 nC při 10 V
Breite
6.22mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
2.39mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťový MOSFET (LV)
Tyto nízkonapěťové (LV) MOSFET poskytují nízký odpor stavu a vysoký výkon přepínání.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MagnaChipTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
110 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
36.8 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,8 nC při 10 V
Breite
6.22mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
2.39mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťový MOSFET (LV)
Tyto nízkonapěťové (LV) MOSFET poskytují nízký odpor stavu a vysoký výkon přepínání.