MOSFET MDD2N60RH N-kanálový 1,9 A 600 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MagnaChipTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Maximální ztrátový výkon
42 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6,7 nC při 10 V
Breite
6.22mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.4V
Höhe
2.39mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Vysokonapěťový MOSFET (HV)
Vysokonapěťový MOSFET s N-kanálem, s nízkým odporem ve stavu a vysokým spínacím výkonem.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MagnaChipTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Maximální ztrátový výkon
42 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6,7 nC při 10 V
Breite
6.22mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.4V
Höhe
2.39mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Vysokonapěťový MOSFET (HV)
Vysokonapěťový MOSFET s N-kanálem, s nízkým odporem ve stavu a vysokým spínacím výkonem.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products