MOSFET MDF11N60BTH N-kanálový 11 A 660 V, TO-220F, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MagnaChipTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
660 V
Gehäusegröße
TO-220F
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
550 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Maximální ztrátový výkon
49 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
4.93mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.71mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
38,4 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Höhe
16.13mm
Propustné napětí diody
1.4V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Vysokonapěťový MOSFET (HV)
Vysokonapěťový MOSFET s N-kanálem, s nízkým odporem ve stavu a vysokým spínacím výkonem.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,92
Each (In a Tube of 10) (bez DPH)
10
€ 0,92
Each (In a Tube of 10) (bez DPH)
10
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,92 | € 9,20 |
| 50 - 90 | € 0,84 | € 8,40 |
| 100 - 240 | € 0,79 | € 7,90 |
| 250 - 490 | € 0,73 | € 7,30 |
| 500+ | € 0,67 | € 6,70 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MagnaChipTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
660 V
Gehäusegröße
TO-220F
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
550 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Maximální ztrátový výkon
49 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
4.93mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.71mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
38,4 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Höhe
16.13mm
Propustné napětí diody
1.4V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Vysokonapěťový MOSFET (HV)
Vysokonapěťový MOSFET s N-kanálem, s nízkým odporem ve stavu a vysokým spínacím výkonem.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products