Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MagnaChipTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
16 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
550 V
Gehäusegröße
TO-220F
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
350 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Maximální ztrátový výkon
49.4 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
4.93mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.71mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
34,9 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
16.13mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.4V
Krajina pôvodu
Korea, Republic Of
Podrobnosti o výrobku
Vysokonapěťový MOSFET (HV)
Vysokonapěťový MOSFET s N-kanálem, s nízkým odporem ve stavu a vysokým spínacím výkonem.
MOSFET Transistors, MagnaChip
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
5
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MagnaChipTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
16 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
550 V
Gehäusegröße
TO-220F
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
350 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Maximální ztrátový výkon
49.4 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
4.93mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.71mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
34,9 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
16.13mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.4V
Krajina pôvodu
Korea, Republic Of
Podrobnosti o výrobku
Vysokonapěťový MOSFET (HV)
Vysokonapěťový MOSFET s N-kanálem, s nízkým odporem ve stavu a vysokým spínacím výkonem.


