Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MagnaChipTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
660 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
550 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Maximální ztrátový výkon
182 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
38,4 nC při 10 V
Breite
4.83mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.4V
Höhe
16.51mm
Krajina pôvodu
Korea, Republic Of
Podrobnosti o výrobku
Vysokonapěťový MOSFET (HV)
Vysokonapěťový MOSFET s N-kanálem, s nízkým odporem ve stavu a vysokým spínacím výkonem.
MOSFET Transistors, MagnaChip
P.O.A.
Each (In a Tube of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
P.O.A.
Each (In a Tube of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MagnaChipTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
660 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
550 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Maximální ztrátový výkon
182 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
38,4 nC při 10 V
Breite
4.83mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.4V
Höhe
16.51mm
Krajina pôvodu
Korea, Republic Of
Podrobnosti o výrobku
Vysokonapěťový MOSFET (HV)
Vysokonapěťový MOSFET s N-kanálem, s nízkým odporem ve stavu a vysokým spínacím výkonem.


