MOSFET MDP18N50BTH N-kanálový 18 A 500 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 871-4956Značka: MagnaChipČíslo dielu výrobcu: MDP18N50BTH
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

MagnaChip

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

18 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

500 V

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

270 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Maximální ztrátový výkon

236 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-30 V, +30 V

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

10.67mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

48 nC při 10 V

Breite

4.83mm

Materiál tranzistoru

Si

Propustné napětí diody

1.4V

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

16.51mm

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Vysokonapěťový MOSFET (HV)

Vysokonapěťový MOSFET s N-kanálem, s nízkým odporem ve stavu a vysokým spínacím výkonem.

MOSFET Transistors, MagnaChip

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

MOSFET MDP18N50BTH N-kanálový 18 A 500 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

5

Dostupné v násobkoch 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

MOSFET MDP18N50BTH N-kanálový 18 A 500 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

5

Dostupné v násobkoch 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

MagnaChip

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

18 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

500 V

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

270 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Maximální ztrátový výkon

236 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-30 V, +30 V

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

10.67mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

48 nC při 10 V

Breite

4.83mm

Materiál tranzistoru

Si

Propustné napětí diody

1.4V

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

16.51mm

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Vysokonapěťový MOSFET (HV)

Vysokonapěťový MOSFET s N-kanálem, s nízkým odporem ve stavu a vysokým spínacím výkonem.

MOSFET Transistors, MagnaChip

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more