Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MagnaChipTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
13.1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
23.7 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.7V
Maximální ztrátový výkon
4.8 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
4.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,8 nC při 10 V
Breite
3.9mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.1V
Höhe
1.5mm
Krajina pôvodu
Korea, Republic Of
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťový MOSFET (LV)
Tyto nízkonapěťové (LV) MOSFET poskytují nízký odpor stavu a vysoký výkon přepínání.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MagnaChipTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
13.1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
23.7 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.7V
Maximální ztrátový výkon
4.8 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
4.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,8 nC při 10 V
Breite
3.9mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.1V
Höhe
1.5mm
Krajina pôvodu
Korea, Republic Of
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťový MOSFET (LV)
Tyto nízkonapěťové (LV) MOSFET poskytují nízký odpor stavu a vysoký výkon přepínání.