MOSFET MMF60R360PTH N-kanálový 11 A 600 V, TO-220F, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MagnaChipTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-220F
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
360 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
31 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.71mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
28 nC při 10 V
Breite
4.93mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Höhe
16.13mm
Propustné napětí diody
1.4V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Super Junction (SJ)
Tyto MOSFET využívají technologii Super Junckervice společnosti MagnaChip k zajištění nízké odolnosti vůči napájení a nabíjení hradla. Díky optimalizované technologii připojení nabíjení jsou vysoce účinné.
Nízká hodnota EMI
Ztráta výkonu při přepínání na vysokou rychlost a nízký odpor
MOSFET Transistors, MagnaChip
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MagnaChipTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-220F
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
360 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
31 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.71mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
28 nC při 10 V
Breite
4.93mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Höhe
16.13mm
Propustné napětí diody
1.4V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Super Junction (SJ)
Tyto MOSFET využívají technologii Super Junckervice společnosti MagnaChip k zajištění nízké odolnosti vůči napájení a nabíjení hradla. Díky optimalizované technologii připojení nabíjení jsou vysoce účinné.
Nízká hodnota EMI
Ztráta výkonu při přepínání na vysokou rychlost a nízký odpor
MOSFET Transistors, MagnaChip
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products