Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MagnatecTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-39
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
180 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
25 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
9.4mm
Breite
9.4mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
4.57mm
Krajina pôvodu
United Kingdom
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET s technologií N-Channel, Semelab
MOSFET Transistors, Semelab
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
30
P.O.A.
30
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MagnatecTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-39
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
180 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
25 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
9.4mm
Breite
9.4mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
4.57mm
Krajina pôvodu
United Kingdom
Podrobnosti o výrobku