Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MagnatecTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-39
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
690 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
20 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
9.4mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
9.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
16,3 nC při 10 V
Höhe
4.57mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
United Kingdom
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET s kanálem P, Semelab
MOSFET Transistors, Semelab
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
30
P.O.A.
30
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MagnatecTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-39
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
690 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
20 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
9.4mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
9.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
16,3 nC při 10 V
Höhe
4.57mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
United Kingdom
Podrobnosti o výrobku