Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MicrochipProduct Type
Výkonový MOSFET
Channel Type
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
1.1A
Maximum Drain Source Voltage Vds
250V
Package Type
DFN
Řada
DN2625
Mount Type
Surface
Pinanzahl
8
Maximální odpor zdroje Rds
3.5Ω
Channel Mode
Depletion
Minimum Operating Temperature
150°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
7.04nC
Přímé napětí Vf
1.8V
Maximální pracovní teplota
155°C
Konfigurace tranzistoru
Single
Height
0.85mm
Länge
5.1mm
Normy/schválení
No
Number of Elements per Chip
1
Automotive Standard
No
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET dn2625 N-Channel
Microchip DN2625 je nízkoprahová deplece-mode (běžně zapnutý) tranzistor MOSFET s využitím Advanced vertikal DMOS struktury. Konstrukce kombinuje možnosti manipulace s výkonem bipolárního tranzistoru s vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním součinitelem zařízení MOS.
Charakteristiky
Nízké prahové napětí zadní výklopné stěny
Navrženo pro pohon v Source-Driven
Nízké ztráty při přepínání
S nízkou účinností - kapacitance výstupu
Navrženo pro vodivá zatížení
MOSFET Transistors, Microchip
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 11,76
€ 2,352 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 11,76
€ 2,352 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MicrochipProduct Type
Výkonový MOSFET
Channel Type
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
1.1A
Maximum Drain Source Voltage Vds
250V
Package Type
DFN
Řada
DN2625
Mount Type
Surface
Pinanzahl
8
Maximální odpor zdroje Rds
3.5Ω
Channel Mode
Depletion
Minimum Operating Temperature
150°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
7.04nC
Přímé napětí Vf
1.8V
Maximální pracovní teplota
155°C
Konfigurace tranzistoru
Single
Height
0.85mm
Länge
5.1mm
Normy/schválení
No
Number of Elements per Chip
1
Automotive Standard
No
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET dn2625 N-Channel
Microchip DN2625 je nízkoprahová deplece-mode (běžně zapnutý) tranzistor MOSFET s využitím Advanced vertikal DMOS struktury. Konstrukce kombinuje možnosti manipulace s výkonem bipolárního tranzistoru s vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním součinitelem zařízení MOS.
Charakteristiky
Nízké prahové napětí zadní výklopné stěny
Navrženo pro pohon v Source-Driven
Nízké ztráty při přepínání
S nízkou účinností - kapacitance výstupu
Navrženo pro vodivá zatížení


