MOSFET DN3765K4-G N-kanálový 300 mA 650 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Vyčerpání Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MicrochipTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
300 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
8 Ω
Režim kanálu
Vyčerpání
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
6.2mm
Breite
6.73mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Höhe
2.39mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET Supertex N-Channel Deployment Mode
Řada Supertex tranzistorů DMOS FET s N-kanálovým deplecí od společnosti Microchip je vhodná pro aplikace vyžadující vysoké napětí při poruše, vysokou vstupní impedanci, nízkou vstupní kapacitu a vysoké rychlosti přepínání.
Charakteristiky
Vysoká vstupní impedance
Nízká vstupní kapacita
Vysoké rychlosti spínání
Nízký odpor při zapnutí
Netrpí sekundárními průrazy
Nízký vstupní a výstupní svodový proud
Typické aplikace
Normálně zapnuté spínače
Polovodičová relé
Převodníky
Lineární zesilovače
Zdroje stejnosměrného proudu s konstantním proudem
Obvody napájecího napětí
Telekomunikace
MOSFET Transistors, Microchip
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
2000
P.O.A.
2000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MicrochipTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
300 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
8 Ω
Režim kanálu
Vyčerpání
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
6.2mm
Breite
6.73mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Höhe
2.39mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET Supertex N-Channel Deployment Mode
Řada Supertex tranzistorů DMOS FET s N-kanálovým deplecí od společnosti Microchip je vhodná pro aplikace vyžadující vysoké napětí při poruše, vysokou vstupní impedanci, nízkou vstupní kapacitu a vysoké rychlosti přepínání.
Charakteristiky
Vysoká vstupní impedance
Nízká vstupní kapacita
Vysoké rychlosti spínání
Nízký odpor při zapnutí
Netrpí sekundárními průrazy
Nízký vstupní a výstupní svodový proud
Typické aplikace
Normálně zapnuté spínače
Polovodičová relé
Převodníky
Lineární zesilovače
Zdroje stejnosměrného proudu s konstantním proudem
Obvody napájecího napětí
Telekomunikace
MOSFET Transistors, Microchip
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products