MOSFET LND01K1-G N-kanálový 330 mA 9 V, SOT-23, počet kolíků: 5 Vyčerpání Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MicrochipTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
330 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
9 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
5
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.4 Ω
Režim kanálu
Vyčerpání
Maximální ztrátový výkon
360 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +0,6 V
Betriebstemperatur max.
+125 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
3.05mm
Breite
1.75mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Höhe
1.3mm
Betriebstemperatur min.
-25 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET LND01 N-Channel
Microchip LND01 je nízkoprahová tranzistor MOSFET (běžně zapnutý), depleční režim. Konstrukce kombinuje možnosti manipulace s výkonem bipolárního tranzistoru s vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním součinitelem zařízení MOS.
Charakteristiky
Obousměrné provedení
Nízký odpor při zapnutí
Nízká vstupní kapacita
Rychlé přepínání
Impedance vysokého vstupu a vysoké zesílení
Požadavky na jednotku s nízkým výkonem
Snadné paralelní ovládání
MOSFET Transistors, Microchip
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MicrochipTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
330 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
9 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
5
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.4 Ω
Režim kanálu
Vyčerpání
Maximální ztrátový výkon
360 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +0,6 V
Betriebstemperatur max.
+125 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
3.05mm
Breite
1.75mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Höhe
1.3mm
Betriebstemperatur min.
-25 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET LND01 N-Channel
Microchip LND01 je nízkoprahová tranzistor MOSFET (běžně zapnutý), depleční režim. Konstrukce kombinuje možnosti manipulace s výkonem bipolárního tranzistoru s vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním součinitelem zařízení MOS.
Charakteristiky
Obousměrné provedení
Nízký odpor při zapnutí
Nízká vstupní kapacita
Rychlé přepínání
Impedance vysokého vstupu a vysoké zesílení
Požadavky na jednotku s nízkým výkonem
Snadné paralelní ovládání
MOSFET Transistors, Microchip
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products