Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
310 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-323
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Maximální ztrátový výkon
330 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,5 nC při 4,5 V
Breite
1.35mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
MOSFET s kanálem N-Channel, 60 V až 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,15
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
200
€ 0,15
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
200
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
310 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-323
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Maximální ztrátový výkon
330 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,5 nC při 4,5 V
Breite
1.35mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku