MOSFET 2N7002PS,115 N-kanálový 320 mA 60 V, SOT-363, počet kolíků: 6 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
320 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
2 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Maximální ztrátový výkon
420 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,6 nC při 2,5 V
Breite
1.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
MOSFET s kanálem N-Channel, 60 V až 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,32
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
50
€ 0,32
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
50
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,32 | € 16,00 |
| 100 - 200 | € 0,13 | € 6,50 |
| 250 - 450 | € 0,13 | € 6,50 |
| 500 - 950 | € 0,12 | € 6,00 |
| 1000+ | € 0,10 | € 5,00 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
320 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
2 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Maximální ztrátový výkon
420 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,6 nC při 2,5 V
Breite
1.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
MOSFET s kanálem N-Channel, 60 V až 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products