Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
310 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-323
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.6 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Maximální ztrátový výkon
260 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,6 nC při 2,5 V
Breite
1.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
MOSFET s kanálem N-Channel, 60 V až 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,13
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
200
€ 0,13
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
200
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
200 - 1400 | € 0,13 | € 26,00 |
1600+ | € 0,09 | € 18,00 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
310 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-323
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.6 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Maximální ztrátový výkon
260 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,6 nC při 2,5 V
Breite
1.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku