Tranzistor BCM856DS,115 PNP 100 mA 65 V dvojitý, SOT-457 (SC-74), počet kolíků: 6 Izolovaný

Skladové číslo RS: 792-0847PZnačka: NexperiaČíslo dielu výrobcu: BCM856DS,115
brand-logo

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ tranzistoru

PNP

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

100 mA

Maximální napětí emitoru/kolektoru

65 V

Gehäusegröße

SOT-457 (SC-74)

Montage-Typ

Surface Mount

Maximální ztrátový výkon

380 mW

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální bázové napětí kolektoru

-80 V

Maximální bázové napětí emitoru

-5 V

Pinanzahl

6

Počet prvků na čip

2

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Abmessungen

3.1 x 1.7 x 1.1mm

Podrobnosti o výrobku

Univerzální tranzistory PNP, experimentální Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

Tranzistor BCM856DS,115 PNP 100 mA 65 V dvojitý, SOT-457 (SC-74), počet kolíků: 6 Izolovaný
Vyberte typ balenia

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

Tranzistor BCM856DS,115 PNP 100 mA 65 V dvojitý, SOT-457 (SC-74), počet kolíků: 6 Izolovaný

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ tranzistoru

PNP

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

100 mA

Maximální napětí emitoru/kolektoru

65 V

Gehäusegröße

SOT-457 (SC-74)

Montage-Typ

Surface Mount

Maximální ztrátový výkon

380 mW

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální bázové napětí kolektoru

-80 V

Maximální bázové napětí emitoru

-5 V

Pinanzahl

6

Počet prvků na čip

2

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Abmessungen

3.1 x 1.7 x 1.1mm

Podrobnosti o výrobku

Univerzální tranzistory PNP, experimentální Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more