MOSFET BSH108,215 N-kanálový 1.9 A 30 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 509-324Značka: NexperiaČíslo dielu výrobcu: BSH108,215
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

1.9 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

120 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

830 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Länge

3mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Materiál tranzistoru

Si

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

6,4 nC při 10 V

Breite

1.4mm

Höhe

1mm

Betriebstemperatur min.

-65 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

MOSFET s kanálem N-Channel, až 30 V.

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 5,90

€ 0,295 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)

MOSFET BSH108,215 N-kanálový 1.9 A 30 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

€ 5,90

€ 0,295 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)

MOSFET BSH108,215 N-kanálový 1.9 A 30 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

MnožstvoJednotková cenaBalík
20 - 140€ 0,295€ 5,90
160 - 740€ 0,176€ 3,52
760 - 1480€ 0,168€ 3,37
1500+€ 0,134€ 2,69

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

1.9 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

120 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

830 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Länge

3mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Materiál tranzistoru

Si

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

6,4 nC při 10 V

Breite

1.4mm

Höhe

1mm

Betriebstemperatur min.

-65 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

MOSFET s kanálem N-Channel, až 30 V.

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more