Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
120 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
830 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
3mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6,4 nC při 10 V
Breite
1.4mm
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET s kanálem N-Channel, až 30 V.
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 5,90
€ 0,295 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
20
€ 5,90
€ 0,295 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 20 - 140 | € 0,295 | € 5,90 |
| 160 - 740 | € 0,176 | € 3,52 |
| 760 - 1480 | € 0,168 | € 3,37 |
| 1500+ | € 0,134 | € 2,69 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
120 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
830 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
3mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6,4 nC při 10 V
Breite
1.4mm
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku


