Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
850 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
500 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
830 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
4,6 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Länge
3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 100 V a vyšší, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
P.O.A.
Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
20
P.O.A.
Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
850 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
500 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
830 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
4,6 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Länge
3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Podrobnosti o výrobku


