MOSFET BSH201,215 P-kanálový 300 mA 60 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 725-8348Značka: NexperiaČíslo dielu výrobcu: BSH201,215
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

300 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

2.5 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1.9V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

417 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

1.4mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

3mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

3 nC při 10 V

Höhe

1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 10,32

€ 0,516 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)

MOSFET BSH201,215 P-kanálový 300 mA 60 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 10,32

€ 0,516 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)

MOSFET BSH201,215 P-kanálový 300 mA 60 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

MnožstvoJednotková cenaBalík
20 - 140€ 0,516€ 10,32
160 - 740€ 0,464€ 9,29
760+€ 0,412€ 8,25

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

300 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

2.5 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1.9V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

417 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

1.4mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

3mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

3 nC při 10 V

Höhe

1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more