Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
300 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2.5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.9V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
417 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
3 nC při 10 V
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 10,32
€ 0,516 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Štandardný
20
€ 10,32
€ 0,516 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 20 - 140 | € 0,516 | € 10,32 |
| 160 - 740 | € 0,464 | € 9,29 |
| 760+ | € 0,412 | € 8,25 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
300 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2.5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.9V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
417 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
3 nC při 10 V
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku


