Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
470 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
900 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.68V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
417 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
2,2 nC při 4,5 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3mm
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 6,86
€ 0,172 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
40
€ 6,86
€ 0,172 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
40
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 40 - 80 | € 0,172 | € 3,43 |
| 100+ | € 0,152 | € 3,05 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
470 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
900 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.68V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
417 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
2,2 nC při 4,5 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3mm
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku


