MOSFET BSP220,115 P-kanálový 225 mA 200 V, SOT-223, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 725-8379Značka: NexperiaČíslo dielu výrobcu: BSP220,115
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

225 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

200 V

Gehäusegröße

SOT223

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

12 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.8V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.8V

Maximální ztrátový výkon

1.5 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

6.7mm

Breite

3.7mm

Materiál tranzistoru

Si

Höhe

1.7mm

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

P.O.A.

Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

MOSFET BSP220,115 P-kanálový 225 mA 200 V, SOT-223, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

P.O.A.

Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

MOSFET BSP220,115 P-kanálový 225 mA 200 V, SOT-223, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

225 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

200 V

Gehäusegröße

SOT223

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

12 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.8V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.8V

Maximální ztrátový výkon

1.5 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

6.7mm

Breite

3.7mm

Materiál tranzistoru

Si

Höhe

1.7mm

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more