Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
225 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
250 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
15 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.8V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
1.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.7mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
3.7mm
Höhe
1.7mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 4,80
€ 0,48 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
10
€ 4,80
€ 0,48 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 10 - 20 | € 0,48 | € 2,40 |
| 25 - 45 | € 0,448 | € 2,24 |
| 50 - 95 | € 0,418 | € 2,09 |
| 100+ | € 0,324 | € 1,62 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
225 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
250 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
15 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.8V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
1.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.7mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
3.7mm
Höhe
1.7mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku


