Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
210 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
300 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
17 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.8V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.95V
Maximální ztrátový výkon
1.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
6.7mm
Breite
3.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
1.7mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
210 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
300 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
17 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.8V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.95V
Maximální ztrátový výkon
1.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
6.7mm
Breite
3.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
1.7mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku


