Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
150 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
6 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.8V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
250 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
3mm
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 100 V a vyšší, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,02
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
€ 0,02
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
150 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
6 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.8V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
250 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
3mm
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku