Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
150 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
6 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.8V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
250 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
3mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Breite
1.4mm
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 100 V a vyšší, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 9,96
€ 0,05 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
200
€ 9,96
€ 0,05 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
200
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 200 - 400 | € 0,05 | € 4,98 |
| 500 - 900 | € 0,039 | € 3,89 |
| 1000 - 1900 | € 0,037 | € 3,70 |
| 2000+ | € 0,035 | € 3,49 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
150 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
6 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.8V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
250 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
3mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Breite
1.4mm
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku


