Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
360 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.6 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.6V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.48V
Maximální ztrátový výkon
420 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Länge
3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,6 nC při 4,5 V
Breite
1.4mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET s kanálem N-Channel, 60 V až 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,08
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 0,08
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
3000 - 3000 | € 0,08 | € 240,00 |
6000 - 12000 | € 0,07 | € 210,00 |
15000 - 27000 | € 0,06 | € 180,00 |
30000 - 57000 | € 0,05 | € 150,00 |
60000+ | € 0,05 | € 150,00 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
360 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.6 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.6V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.48V
Maximální ztrátový výkon
420 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Länge
3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,6 nC při 4,5 V
Breite
1.4mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku