Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
360 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.6 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.9V
Maximální ztrátový výkon
420 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,72 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET s kanálem N-Channel, 60 V až 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 3,84
€ 0,038 Each (On a Reel of 100) (bez DPH)
Štandardný
100
€ 3,84
€ 0,038 Each (On a Reel of 100) (bez DPH)
Štandardný
100
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
360 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.6 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.9V
Maximální ztrátový výkon
420 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,72 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku