MOSFET BSS138PS,115 N-kanálový 320 mA 60 V, SOT-363, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
320 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.6 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.9V
Maximální ztrátový výkon
320 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,72 nC při 4,5 V
Breite
1.35mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Podrobnosti o výrobku
Duální MOSFET N-Channel, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,22
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
40
€ 0,22
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
40
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 40 - 360 | € 0,22 | € 8,80 |
| 400 - 760 | € 0,08 | € 3,20 |
| 800+ | € 0,08 | € 3,20 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
320 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.6 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.9V
Maximální ztrátový výkon
320 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,72 nC při 4,5 V
Breite
1.35mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Podrobnosti o výrobku
Duální MOSFET N-Channel, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products