MOSFET BSS84,215 P-kanálový 130 mA 50 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
130 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
50 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
10 Úř. věst. Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
250 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Höhe
1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 1,48
€ 0,148 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
10
€ 1,48
€ 0,148 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,148 | € 1,48 |
| 50 - 90 | € 0,142 | € 1,42 |
| 100 - 240 | € 0,118 | € 1,18 |
| 250 - 490 | € 0,11 | € 1,10 |
| 500+ | € 0,103 | € 1,03 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
130 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
50 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
10 Úř. věst. Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
250 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Höhe
1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products