Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
160 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
50 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
7,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Maximální ztrátový výkon
320 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,26 nC při 5 V
Breite
1.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Podrobnosti o výrobku
Duální, S-kanálem MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,046
Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Štandardný
30
€ 0,046
Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Štandardný
30
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
160 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
50 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
7,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Maximální ztrátový výkon
320 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,26 nC při 5 V
Breite
1.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Podrobnosti o výrobku