Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
150 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
50 V
Gehäusegröße
SOT-323
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
7.5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Maximální ztrátový výkon
310 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,26 nC při 5 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 18,16
€ 0,182 Each (On a Reel of 100) (bez DPH)
Štandardný
100
€ 18,16
€ 0,182 Each (On a Reel of 100) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
100
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 100 - 200 | € 0,182 | € 18,16 |
| 300 - 500 | € 0,175 | € 17,49 |
| 600+ | € 0,145 | € 14,53 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
150 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
50 V
Gehäusegröße
SOT-323
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
7.5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Maximální ztrátový výkon
310 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,26 nC při 5 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku


