Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
400 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
SOT-89
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.8V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
4.6mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
2.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
1.6mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 100 V a vyšší, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 3,44
€ 0,344 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
10
€ 3,44
€ 0,344 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
400 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
SOT-89
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.8V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
4.6mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
2.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
1.6mm
Podrobnosti o výrobku


