Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
190 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
10 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
830 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
3mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Höhe
1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 100 V a vyšší, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 0,87
€ 0,174 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 0,87
€ 0,174 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
190 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
10 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
830 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
3mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Höhe
1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku