MOSFET BST82,215 N-kanálový 190 mA 100 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 112-5548Značka: NexperiaČíslo dielu výrobcu: BST82,215
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

190 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

10 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.5V

Maximální ztrátový výkon

830 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Länge

3mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

1.4mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-65 °C

Höhe

1mm

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

N-Channel MOSFET, 100 V a vyšší, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 0,87

€ 0,174 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

MOSFET BST82,215 N-kanálový 190 mA 100 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 0,87

€ 0,174 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

MOSFET BST82,215 N-kanálový 190 mA 100 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

190 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

10 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.5V

Maximální ztrátový výkon

830 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Länge

3mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

1.4mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-65 °C

Höhe

1mm

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

N-Channel MOSFET, 100 V a vyšší, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more