Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaDiodová konfigurace
Complex Array
Typ produktu
Pole diody TVS
Typ směru
Obousměrné
Minimální průrazné napětí Vbr
5.5V
Typ montáže
Surface
Gehäusegröße
TSOP
Maximální zpětné vypínací napětí Vwm
5V
Počet kolíků
6
Špičkový impulsní výkon Pppm
20W
Svorkové napětí
10V
Betriebstemperatur min.
-65°C
Testovací proud It
5mA
Maximální špičkový impulzní proud Ippm
2A
Ochrana ESD
Yes
Počet prvků na čip
4
Maximální pracovní teplota
150°C
Šířka
1.7 mm
Výška
1mm
Länge
3.1mm
Normy/schválení
No
Řada
BZA
Maximální závěrný svodový proud
100nA
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
BZA408B, čtyřcestný obousměrný kompresor s tranzistorem ESD (ESD), Nexperia
Jmenovité hodnoty ESD> 15 kV podle normy IEC1000-4-2
Pouzdro pro povrchovou montáž SOT457
Oblast bez upnutí: -5 V až +5 V.
Odstup kanálů:> 70 dB
Nízký proud pro jízdu vzad:< 100nA
S nízkou kapacitancí diod:< 75 dr
Transient Voltage Suppressors, Nexperia
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 430,05
€ 0,143 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 430,05
€ 0,143 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaDiodová konfigurace
Complex Array
Typ produktu
Pole diody TVS
Typ směru
Obousměrné
Minimální průrazné napětí Vbr
5.5V
Typ montáže
Surface
Gehäusegröße
TSOP
Maximální zpětné vypínací napětí Vwm
5V
Počet kolíků
6
Špičkový impulsní výkon Pppm
20W
Svorkové napětí
10V
Betriebstemperatur min.
-65°C
Testovací proud It
5mA
Maximální špičkový impulzní proud Ippm
2A
Ochrana ESD
Yes
Počet prvků na čip
4
Maximální pracovní teplota
150°C
Šířka
1.7 mm
Výška
1mm
Länge
3.1mm
Normy/schválení
No
Řada
BZA
Maximální závěrný svodový proud
100nA
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
BZA408B, čtyřcestný obousměrný kompresor s tranzistorem ESD (ESD), Nexperia
Jmenovité hodnoty ESD> 15 kV podle normy IEC1000-4-2
Pouzdro pro povrchovou montáž SOT457
Oblast bez upnutí: -5 V až +5 V.
Odstup kanálů:> 70 dB
Nízký proud pro jízdu vzad:< 100nA
S nízkou kapacitancí diod:< 75 dr


