Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaDiodová konfigurace
Složité pole
Product Type
Pole diody TVS
Direction Type
Bi-Directional
Minimum Breakdown Voltage Vbr
5.5V
Mount Type
Surface
Package Type
TSOP
Maximální zpětné vypínací napětí Vwm
5V
Pinanzahl
6
Špičkový impulsní výkon Pppm
20W
Svorkové napětí
10V
Minimum Operating Temperature
-65°C
Test Current It
5mA
Maximální špičkový impulzní proud Ippm
2A
Ochrana ESD
Yes
Number of Elements per Chip
4
Maximální pracovní teplota
150°C
Height
1mm
Länge
3.1mm
Normy/schválení
No
Řada
BZA
Maximum Reverse Leakage Current
100nA
Automotive Standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
BZA408B, čtyřcestný obousměrný kompresor s tranzistorem ESD (ESD), Nexperia
Jmenovité hodnoty ESD> 15 kV podle normy IEC1000-4-2
Pouzdro pro povrchovou montáž SOT457
Oblast bez upnutí: -5 V až +5 V.
Odstup kanálů:> 70 dB
Nízký proud pro jízdu vzad:< 100nA
S nízkou kapacitancí diod:< 75 dr
Transient Voltage Suppressors, Nexperia
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 430,05
€ 0,143 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 430,05
€ 0,143 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaDiodová konfigurace
Složité pole
Product Type
Pole diody TVS
Direction Type
Bi-Directional
Minimum Breakdown Voltage Vbr
5.5V
Mount Type
Surface
Package Type
TSOP
Maximální zpětné vypínací napětí Vwm
5V
Pinanzahl
6
Špičkový impulsní výkon Pppm
20W
Svorkové napětí
10V
Minimum Operating Temperature
-65°C
Test Current It
5mA
Maximální špičkový impulzní proud Ippm
2A
Ochrana ESD
Yes
Number of Elements per Chip
4
Maximální pracovní teplota
150°C
Height
1mm
Länge
3.1mm
Normy/schválení
No
Řada
BZA
Maximum Reverse Leakage Current
100nA
Automotive Standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
BZA408B, čtyřcestný obousměrný kompresor s tranzistorem ESD (ESD), Nexperia
Jmenovité hodnoty ESD> 15 kV podle normy IEC1000-4-2
Pouzdro pro povrchovou montáž SOT457
Oblast bez upnutí: -5 V až +5 V.
Odstup kanálů:> 70 dB
Nízký proud pro jízdu vzad:< 100nA
S nízkou kapacitancí diod:< 75 dr


