DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

MOSFET NX1029X,115 N/P-kanálový-kanálový 170 mA, 330 mA 50 V, 60 V, SOT-666, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si

Skladové číslo RS: 816-0563Značka: NexperiaČíslo dielu výrobcu: NX1029X,115
brand-logo
View all in MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N, P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

170 mA, 330 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

50 V, 60 V

Gehäusegröße

SOT-666

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

6

Maximální odpor kolektor/zdroj

3.6 Ω, 13.5 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.1V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.1V

Maximální ztrátový výkon

500 mW

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Maximální pracovní teplota

150 °C

Länge

1.7mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

0,26 nC při 5 V, 0,5 nC při 4,5 V

Breite

1.3mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

0.6mm

Podrobnosti o výrobku

Duální, N/P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 0,26

Each (In a Pack of 50) (bez DPH)

MOSFET NX1029X,115 N/P-kanálový-kanálový 170 mA, 330 mA 50 V, 60 V, SOT-666, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si
Vyberte typ balenia

€ 0,26

Each (In a Pack of 50) (bez DPH)

MOSFET NX1029X,115 N/P-kanálový-kanálový 170 mA, 330 mA 50 V, 60 V, SOT-666, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Kúpiť hromadne

množstvoJednotková cenaBalík
50 - 100€ 0,26€ 13,00
150 - 250€ 0,16€ 8,00
300 - 550€ 0,15€ 7,50
600 - 1150€ 0,15€ 7,50
1200+€ 0,15€ 7,50

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N, P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

170 mA, 330 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

50 V, 60 V

Gehäusegröße

SOT-666

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

6

Maximální odpor kolektor/zdroj

3.6 Ω, 13.5 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.1V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.1V

Maximální ztrátový výkon

500 mW

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Maximální pracovní teplota

150 °C

Länge

1.7mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

0,26 nC při 5 V, 0,5 nC při 4,5 V

Breite

1.3mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

0.6mm

Podrobnosti o výrobku

Duální, N/P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more