MOSFET NX3008CBKV,115 N/P-kanálový-kanálový 220 mA, 400 mA 30 V, SOT-666, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
220 mA, 400 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-666
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
2.8 Ω, 7.8 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.6V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
1.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,52 nC při 4,5 V, 0,55 nC při 4,5 V
Breite
1.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.6mm
Krajina pôvodu
Hong Kong
Podrobnosti o výrobku
Duální, N/P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,30
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
50
€ 0,30
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
50
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
220 mA, 400 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-666
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
2.8 Ω, 7.8 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.6V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
1.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,52 nC při 4,5 V, 0,55 nC při 4,5 V
Breite
1.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.6mm
Krajina pôvodu
Hong Kong
Podrobnosti o výrobku
Duální, N/P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products