Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
2 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
150 V
Gehäusegröße
SOT-223 (SC-73)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
1.45 W
Minimální proudový zisk DC
100
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
350 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
3 + Tab
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Abmessungen
6.7 x 3.7 x 1.8mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťové tranzistory NPN
Řada NXP BISS (průlomové malé signální napětí) s nízkým napětím saturace bipolární svorkovnice NPN. Tato zařízení jsou vybavena velmi nízkým saturačním napětím a vysokým odběrem proudu v kompaktních prostorově úsporných balících. Snížení ztrát těchto tranzistorů vede k nižší výrobě tepla a celkovému zvýšení efektivity při použití v přepínacích a digitálních aplikacích.
Bipolar Transistors, Nexperia
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
20
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
2 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
150 V
Gehäusegröße
SOT-223 (SC-73)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
1.45 W
Minimální proudový zisk DC
100
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
350 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
3 + Tab
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Abmessungen
6.7 x 3.7 x 1.8mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťové tranzistory NPN
Řada NXP BISS (průlomové malé signální napětí) s nízkým napětím saturace bipolární svorkovnice NPN. Tato zařízení jsou vybavena velmi nízkým saturačním napětím a vysokým odběrem proudu v kompaktních prostorově úsporných balících. Snížení ztrát těchto tranzistorů vede k nižší výrobě tepla a celkovému zvýšení efektivity při použití v přepínacích a digitálních aplikacích.


