Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-1 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
-150 V
Gehäusegröße
SOT-223 (SC-73)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
1.4 W
Minimální proudový zisk DC
100
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-200 V
Maximální bázové napětí emitoru
-6 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
3 + Tab
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Abmessungen
6.7 x 3.7 x 1.8mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťové tranzistory PNP
Řada bipolárních svorkovnic NXP BISS (průlom v malém signálu) s nízkým napětím saturace PNP. Tato zařízení jsou vybavena velmi nízkým saturačním napětím a vysokým odběrem proudu v kompaktních prostorově úsporných balících. Snížení ztrát těchto tranzistorů vede k nižší výrobě tepla a celkovému zvýšení efektivity při použití v přepínacích a digitálních aplikacích.
Bipolar Transistors, Nexperia
€ 9,26
€ 0,463 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Štandardný
20
€ 9,26
€ 0,463 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 20 - 20 | € 0,463 | € 9,26 |
| 40 - 80 | € 0,434 | € 8,69 |
| 100 - 180 | € 0,274 | € 5,47 |
| 200 - 380 | € 0,266 | € 5,33 |
| 400+ | € 0,26 | € 5,20 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-1 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
-150 V
Gehäusegröße
SOT-223 (SC-73)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
1.4 W
Minimální proudový zisk DC
100
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-200 V
Maximální bázové napětí emitoru
-6 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
3 + Tab
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Abmessungen
6.7 x 3.7 x 1.8mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťové tranzistory PNP
Řada bipolárních svorkovnic NXP BISS (průlom v malém signálu) s nízkým napětím saturace PNP. Tato zařízení jsou vybavena velmi nízkým saturačním napětím a vysokým odběrem proudu v kompaktních prostorově úsporných balících. Snížení ztrát těchto tranzistorů vede k nižší výrobě tepla a celkovému zvýšení efektivity při použití v přepínacích a digitálních aplikacích.


