Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-4,9 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
-30 V
Gehäusegröße
SOT-223 (SC-73)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
2 W
Minimální proudový zisk DC
200
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-30 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
3 + Tab
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Abmessungen
6.7 x 3.7 x 1.8mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťové tranzistory PNP
Řada bipolárních svorkovnic NXP BISS (průlom v malém signálu) s nízkým napětím saturace PNP. Tato zařízení jsou vybavena velmi nízkým saturačním napětím a vysokým odběrem proudu v kompaktních prostorově úsporných balících. Snížení ztrát těchto tranzistorů vede k nižší výrobě tepla a celkovému zvýšení efektivity při použití v přepínacích a digitálních aplikacích.
Bipolar Transistors, Nexperia
€ 31,50
€ 0,63 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
50
€ 31,50
€ 0,63 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 50 - 90 | € 0,63 | € 6,30 |
| 100 - 190 | € 0,571 | € 5,71 |
| 200 - 390 | € 0,558 | € 5,58 |
| 400+ | € 0,542 | € 5,42 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-4,9 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
-30 V
Gehäusegröße
SOT-223 (SC-73)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
2 W
Minimální proudový zisk DC
200
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-30 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
3 + Tab
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Abmessungen
6.7 x 3.7 x 1.8mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťové tranzistory PNP
Řada bipolárních svorkovnic NXP BISS (průlom v malém signálu) s nízkým napětím saturace PNP. Tato zařízení jsou vybavena velmi nízkým saturačním napětím a vysokým odběrem proudu v kompaktních prostorově úsporných balících. Snížení ztrát těchto tranzistorů vede k nižší výrobě tepla a celkovému zvýšení efektivity při použití v přepínacích a digitálních aplikacích.


