Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
2.7 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
60 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
1.1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-60 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Abmessungen
3 x 1.4 x 1.1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťové tranzistory PNP
Řada bipolárních svorkovnic NXP BISS (průlom v malém signálu) s nízkým napětím saturace PNP. Tato zařízení jsou vybavena velmi nízkým saturačním napětím a vysokým odběrem proudu v kompaktních prostorově úsporných balících. Snížení ztrát těchto tranzistorů vede k nižší výrobě tepla a celkovému zvýšení efektivity při použití v přepínacích a digitálních aplikacích.
Bipolar Transistors, Nexperia
P.O.A.
Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Štandardný
50
P.O.A.
Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
2.7 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
60 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
1.1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-60 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Abmessungen
3 x 1.4 x 1.1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťové tranzistory PNP
Řada bipolárních svorkovnic NXP BISS (průlom v malém signálu) s nízkým napětím saturace PNP. Tato zařízení jsou vybavena velmi nízkým saturačním napětím a vysokým odběrem proudu v kompaktních prostorově úsporných balících. Snížení ztrát těchto tranzistorů vede k nižší výrobě tepla a celkovému zvýšení efektivity při použití v přepínacích a digitálních aplikacích.


