Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
1 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
20 V
Gehäusegröße
SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
480 mW
Minimální proudový zisk DC
350
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
30 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Abmessungen
1 x 3 x 1.4mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťové tranzistory NPN
Řada NXP BISS (průlomové malé signální napětí) s nízkým napětím saturace bipolární svorkovnice NPN. Tato zařízení jsou vybavena velmi nízkým saturačním napětím a vysokým odběrem proudu v kompaktních prostorově úsporných balících. Snížení ztrát těchto tranzistorů vede k nižší výrobě tepla a celkovému zvýšení efektivity při použití v přepínacích a digitálních aplikacích.
Bipolar Transistors, Nexperia
€ 26,60
€ 0,213 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
125
€ 26,60
€ 0,213 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
125
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 125 - 225 | € 0,213 | € 5,32 |
| 250+ | € 0,202 | € 5,04 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
1 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
20 V
Gehäusegröße
SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
480 mW
Minimální proudový zisk DC
350
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
30 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Abmessungen
1 x 3 x 1.4mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťové tranzistory NPN
Řada NXP BISS (průlomové malé signální napětí) s nízkým napětím saturace bipolární svorkovnice NPN. Tato zařízení jsou vybavena velmi nízkým saturačním napětím a vysokým odběrem proudu v kompaktních prostorově úsporných balících. Snížení ztrát těchto tranzistorů vede k nižší výrobě tepla a celkovému zvýšení efektivity při použití v přepínacích a digitálních aplikacích.


