Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
1 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
30 V
Gehäusegröße
SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
480 mW
Minimální proudový zisk DC
350
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
40 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
1 x 3 x 1.4mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťové tranzistory NPN
Řada NXP BISS (průlomové malé signální napětí) s nízkým napětím saturace bipolární svorkovnice NPN. Tato zařízení jsou vybavena velmi nízkým saturačním napětím a vysokým odběrem proudu v kompaktních prostorově úsporných balících. Snížení ztrát těchto tranzistorů vede k nižší výrobě tepla a celkovému zvýšení efektivity při použití v přepínacích a digitálních aplikacích.
Bipolar Transistors, Nexperia
€ 4,84
€ 0,194 Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
Štandardný
25
€ 4,84
€ 0,194 Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
25
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 25 - 25 | € 0,194 | € 4,84 |
| 50 - 100 | € 0,174 | € 4,35 |
| 125+ | € 0,155 | € 3,87 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
1 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
30 V
Gehäusegröße
SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
480 mW
Minimální proudový zisk DC
350
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
40 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
1 x 3 x 1.4mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťové tranzistory NPN
Řada NXP BISS (průlomové malé signální napětí) s nízkým napětím saturace bipolární svorkovnice NPN. Tato zařízení jsou vybavena velmi nízkým saturačním napětím a vysokým odběrem proudu v kompaktních prostorově úsporných balících. Snížení ztrát těchto tranzistorů vede k nižší výrobě tepla a celkovému zvýšení efektivity při použití v přepínacích a digitálních aplikacích.


