Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
1 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
30 V
Gehäusegröße
SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
480 mW
Minimální proudový zisk DC
350
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
40 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
1 x 3 x 1.4mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťové tranzistory NPN
Řada NXP BISS (průlomové malé signální napětí) s nízkým napětím saturace bipolární svorkovnice NPN. Tato zařízení jsou vybavena velmi nízkým saturačním napětím a vysokým odběrem proudu v kompaktních prostorově úsporných balících. Snížení ztrát těchto tranzistorů vede k nižší výrobě tepla a celkovému zvýšení efektivity při použití v přepínacích a digitálních aplikacích.
Bipolar Transistors, Nexperia
€ 4,03
€ 0,161 Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
25
€ 4,03
€ 0,161 Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
25
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
25 - 25 | € 0,161 | € 4,03 |
50 - 100 | € 0,083 | € 2,08 |
125 - 225 | € 0,072 | € 1,79 |
250 - 475 | € 0,06 | € 1,49 |
500+ | € 0,055 | € 1,38 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
1 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
30 V
Gehäusegröße
SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
480 mW
Minimální proudový zisk DC
350
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
40 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
1 x 3 x 1.4mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťové tranzistory NPN
Řada NXP BISS (průlomové malé signální napětí) s nízkým napětím saturace bipolární svorkovnice NPN. Tato zařízení jsou vybavena velmi nízkým saturačním napětím a vysokým odběrem proudu v kompaktních prostorově úsporných balících. Snížení ztrát těchto tranzistorů vede k nižší výrobě tepla a celkovému zvýšení efektivity při použití v přepínacích a digitálních aplikacích.