Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
2 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
50 V (NPN), -50 V (PNP)
Gehäusegröße
SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
1.2 W
Minimální proudový zisk DC
300
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
50 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Abmessungen
1 x 3 x 1.4mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťové tranzistory NPN
Řada NXP BISS (průlomové malé signální napětí) s nízkým napětím saturace bipolární svorkovnice NPN. Tato zařízení jsou vybavena velmi nízkým saturačním napětím a vysokým odběrem proudu v kompaktních prostorově úsporných balících. Snížení ztrát těchto tranzistorů vede k nižší výrobě tepla a celkovému zvýšení efektivity při použití v přepínacích a digitálních aplikacích.
Bipolar Transistors, Nexperia
€ 2,15
€ 0,215 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 2,15
€ 0,215 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,215 | € 2,15 |
| 100 - 190 | € 0,108 | € 1,08 |
| 200 - 390 | € 0,103 | € 1,03 |
| 400 - 790 | € 0,097 | € 0,97 |
| 800+ | € 0,088 | € 0,88 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
2 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
50 V (NPN), -50 V (PNP)
Gehäusegröße
SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
1.2 W
Minimální proudový zisk DC
300
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
50 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Abmessungen
1 x 3 x 1.4mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťové tranzistory NPN
Řada NXP BISS (průlomové malé signální napětí) s nízkým napětím saturace bipolární svorkovnice NPN. Tato zařízení jsou vybavena velmi nízkým saturačním napětím a vysokým odběrem proudu v kompaktních prostorově úsporných balících. Snížení ztrát těchto tranzistorů vede k nižší výrobě tepla a celkovému zvýšení efektivity při použití v přepínacích a digitálních aplikacích.


